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Vishay Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 30.4 MΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, Powerpak 1212, Superficie Sish892Bdn-T1-Ge3-image

Vishay Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 30.4 MΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, Powerpak 1212, Superficie Sish892Bdn-T1-Ge3

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MarcaVishay
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Vishay MOSFET, canale Tipo N 100 V, 30.4 mΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSH892BDN-T1-GE3, Massima corrente di scarico continua (Id): 20A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Serie: TrenchFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 30.4mΩ, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 29W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 17.4nC, Temperatura massima di funzionamento: 150°C

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