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Onsemi Mosfet, Canale N, P, 1,1 Ω, 450 MΩ, 460 Ma, 680 Ma, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Onsemi Mosfet, Canale N, P, 1,1 Ω, 450 MΩ, 460 Ma, 680 Ma, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Marcaonsemi
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Descrizione
onsemi MOSFET, canale N, P, 1,1 Ω, 450 mΩ, 460 mA, 680 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 25 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.65V, Dissipazione di potenza massima: 900 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 1mm, Lunghezza: 3mm, MPN: FDC6321C

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