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Vishay Mosfet, Canale N, 2,2 Ω, 3,6 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale-image

Vishay Mosfet, Canale N, 2,2 Ω, 3,6 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale N, 2,2 Ω, 3,6 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 74 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Carica gate tipica @ Vgs: 23 nC a 10 V, Larghezza: 9.65mm, Lunghezza: 10.67mm, MPN: SIHFBC30AS-GE3

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