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Infineon Mosfet, Canale N, 1,3 Ω, 4 A, TO-220, Su Foro

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 1,3 Ω, 4 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.9V, Tensione di soglia gate minima: 2.1V, Dissipazione di potenza massima: 63 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 15.95mm, MPN: SPP04N80C3

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