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Vishay Mosfet, Canale N, 156 MΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Vishay Mosfet, Canale N, 156 MΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale N, 156 mΩ, 1,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Tipo di package: SOT-23 (TO-236), Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1,09 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, Altezza: 1.02mm, MPN: SI2308BDS-T1-GE3

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