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Onsemi Mosfet, Canale N, 13,5 Ω, 115 Ma, SOT-363, Montaggio Superficiale

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RS Components
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Specifiche
Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale N, 13,5 Ω, 115 mA, SOT-363, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 200 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Larghezza: 1.25mm, Lunghezza: 2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: 2N7002DW

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