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Vishay Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 130 MΩ Miglioramento, 11.3 A, 6 Pin, SC-70, Superficie

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MarcaVishay
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Descrizione
Vishay MOSFET, canale Tipo N 100 V, 130 mΩ Miglioramento, 11.3 A, 6 Pin, SC-70, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 11.3A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Serie: ThunderFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 130mΩ, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 6.5nC, Dissipazione di potenza massima (Pd): 19W, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione diretta (Vf): 0.85V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, MPN: SIA416DJ-T1-GE3

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