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Vishay Mosfet, Canale P, 9,8 MΩ, 111.9 A., Powerpak 1212-8S, Montaggio Superficiale

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MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale P, 9,8 mΩ, 111.9 A., PowerPAK 1212-8S, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Tipo di package: PowerPak 1212-S, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 65.8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±8 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: SiSS61DN-T1-GE3

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