Infineon
Infineon Mosfet, Canale Tipo N 200 V, 1.8 Ω Depletion, 660 Ma, 4 Pin, SOT-223, Superficie
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 200 V, 1.8 Ω Depletion, 660 mA, 4 Pin, SOT-223, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 660mA, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 200V, Serie: SIPMOS, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 1.8Ω, Tensione diretta (Vf): 1.2V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 1.8W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 11nC, MPN: BSP149
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