ROHM
Rohm Mosfet Singoli, Canale Tipo N 800 V, 0.265 Ω Miglioramento, 3 Pin, TO-247, Superficie R8019KNZ4C13
Specifiche
MarcaROHM
CondizioneNuovo
Descrizione
ROHM MOSFET singoli, canale Tipo N 800 V, 0.265 Ω Miglioramento, 3 Pin, TO-247, Superficie R8019KNZ4C13, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 800V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 0.265Ω, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): ±30 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 208W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 65nC, Temperatura massima di funzionamento: 150°C, Altezza: 5.22mm
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