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Infineon Mosfet, Canale P, 270 MΩ, 11,3 A, TO-220, Su Foro-image

Infineon Mosfet, Canale P, 270 MΩ, 11,3 A, TO-220, Su Foro

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale P, 270 mΩ, 11,3 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Serie: SIPMOS®, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 128 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 47 nC a 10 V, MPN: SPP15P10PL H

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