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Stmicroelectronics Mosfet, Canale N, 900 MΩ, 9 A, TO-247, Su Foro

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Specifiche
MarcaSTMicroelectronics
CondizioneNuovo
Descrizione
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20.15mm, MPN: STW10NK80Z

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