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Diodeszetex Mosfet, Canale P, 190 MΩ, 3,7 A, SOT-223, Montaggio Superficiale-image

Diodeszetex Mosfet, Canale P, 190 MΩ, 3,7 A, SOT-223, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaDiodesZetex
CondizioneNuovo
Descrizione
DiodesZetex MOSFET, canale P, 190 mΩ, 3,7 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 3.9 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 26,9 nC a 10 V, Larghezza: 3.7mm, Lunghezza: 6.7mm, MPN: ZXMP10A18GTA

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