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Infineon Mosfet, Canale N, 280 MΩ, 2,8 A, SOT-223, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 280 MΩ, 2,8 A, SOT-223, Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 280 mΩ, 2,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Serie: HEXFET, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Carica gate tipica @ Vgs: 9,5 nC a 10 V, MPN: IRLL014NTRPBF

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