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Vishay Mosfet, Canale P, 108 MΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Vishay Mosfet, Canale P, 108 MΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale P, 108 mΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 13,6 nC a 10 V, Larghezza: 1.4mm, Lunghezza: 3.04mm, MPN: SI2319CDS-T1-GE3

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