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Vishay Mosfet, Canale Canale N 650 V, 0.115 Ω Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro Passante SIHG110N65SF-GE3-image

Vishay Mosfet, Canale Canale N 650 V, 0.115 Ω Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro Passante SIHG110N65SF-GE3

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MarcaVishay
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Vishay MOSFET, canale Canale N 650 V, 0.115 Ω Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante SIHG110N65SF-GE3, Massima corrente di scarico continua (Id): 33A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 650V, Serie: SF Series, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 0.115Ω, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): ±20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 313W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 83nC, Temperatura massima di funzionamento: 150°C

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