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Ixys Igbt, Vce 1200 V, Ic 90 A, Canale N, TO-247

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MarcaIXYS
CondizioneNuovo
Descrizione
IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 90 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 625 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 50kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXYH50N120C3D1

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