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Infineon Mosfet, Canale N, 825 MΩ, 540 Ma, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 825 MΩ, 540 Ma, SOT-23, Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 825 mΩ, 540 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Serie: OptiMOS™, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 1,7 nC a 10 V, MPN: BSS670S2LH6327XT

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