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Vishay Mosfet, Canale N, 18 MΩ, 52 A, Powerpak 1212-8SCD, Montaggio Superficiale

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MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale N, 18 mΩ, 52 A, PowerPAK 1212-8SCD, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 69,4 W, Configurazione transistor: Drain comune, Tensione massima gate source: ±20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 22 nC a 10 V, Larghezza: 3.4mm, MPN: SiSF20DN-T1-GE3

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