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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 800 V, 950 MΩ Miglioramento, 5.7 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 800 V, 950 mΩ Miglioramento, 5.7 A, 3 Pin, TO-252, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 5.7A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 800V, Serie: CoolMOS CE, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 950mΩ, Tensione diretta (Vf): 1V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 30 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 83W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 31nC, MPN: IPD80R1K0CEATMA1

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