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Onsemi 2 Mosfet Tipo Isolato, Canale Tipo N, Tipo P, 21 MΩ, 8.6 A 30 V, Soic, Superficie Miglioramento, 8 Pin-image

Onsemi 2 Mosfet Tipo Isolato, Canale Tipo N, Tipo P, 21 MΩ, 8.6 A 30 V, Soic, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Marcaonsemi
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Descrizione
onsemi 2 MOSFET Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 21 mΩ, 8.6 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin, Massima corrente di scarico continua (Id): 8.6A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 30V, Serie: PowerTrench, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 21mΩ, Tensione diretta (Vf): 0.8V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 25 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 1.6W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 17nC, MPN: FDS8858CZ

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