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Vishay Mosfet, Canale Tipo N 30 V, 0.00087 Ω Miglioramento, 198 A, 8 Pin, 1212-F, Superficie SISD5300DN-T1-GE3-image

Vishay Mosfet, Canale Tipo N 30 V, 0.00087 Ω Miglioramento, 198 A, 8 Pin, 1212-F, Superficie SISD5300DN-T1-GE3

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MarcaVishay
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Vishay MOSFET, canale Tipo N 30 V, 0.00087 Ω Miglioramento, 198 A, 8 Pin, 1212-F, Superficie SISD5300DN-T1-GE3, Massima corrente di scarico continua (Id): 198A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 30V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 0.00087Ω, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): ±20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 57W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 36.2nC, Temperatura massima di funzionamento: 150°C

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