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OberfläChenanalytische Charakterisierung Von Metallischen Verunreinigungen Und Oxiden Auf Gaas
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Inhalt dieses Buches ist die detaillierte Charakterisierung der Oberfläche von GaAs-Halbleitern hinsichtlich oberflächennaher Verunreinigungen und passivierender Oxidschichten. Der Autor entwickelt ein Verfahren zum quantitativen Nachweis von metallischen Spurenelementen mit der Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS), das es möglich macht, Oberflächenbelegungen auf GaAs mit Konzentrationen kleiner 109 Atome/cm2 quantitativ nachzuweisen. Ein Vergleich passivierender Oxide hinsichtlich ihrer Komponenten, Schichtstruktur und Dicke liefert die Grundlagen für gezielte Ãnderungen des Herstellungsprozesses.
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