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Vishay Mosfet, Canale P, 33 MΩ, 9,9 A, Powerpak Chipfet, Montaggio Superficiale-image

Vishay Mosfet, Canale P, 33 MΩ, 9,9 A, Powerpak Chipfet, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale P, 33 mΩ, 9,9 A, PowerPAK ChipFET, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 31 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.85mm, Lunghezza: 3.08mm, MPN: SI5419DU-T1-GE3

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