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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 800 V, 2.4 MΩ Miglioramento, 2.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 800 V, 2.4 mΩ Miglioramento, 2.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 2.5A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 800V, Serie: CoolMOS, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 2.4mΩ, Tensione diretta (Vf): 0.9V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 6.3W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 7.5nC, MPN: IPN80R2K4P7ATMA1

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