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Onsemi Transistor Darlington MJD112T4G 1, TO-252, 3 Pin, 2 A Npn, 100 V, Superficie 200

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RS Components
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Specifiche
Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi Transistor Darlington MJD112T4G 1, TO-252, 3 Pin, 2 A NPN, 100 V, Superficie 200, Corrente massima continua collettore (Ic): 2A, Tensione massima emettitore del collettore (Vceo): 100V, Tensione massima di saturazione emettitore del collettore (Vce(SAT)): 2V, Tensione massima base emettitore (VBEO): 5V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 20W, Minima temperatura operativa: -65°C, Temperatura massima di funzionamento: 150°C

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