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Vishay Mosfet, Canale Canale N 40 V, 0.0017 Ω Miglioramento, 201.5 A, 8 Pin, Powerpak SO-8, Superficie SIR5402DP-T1-UE3-image

Vishay Mosfet, Canale Canale N 40 V, 0.0017 Ω Miglioramento, 201.5 A, 8 Pin, Powerpak SO-8, Superficie SIR5402DP-T1-UE3

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MarcaVishay
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Vishay MOSFET, canale Canale N 40 V, 0.0017 Ω Miglioramento, 201.5 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SIR5402DP-T1-UE3, Massima corrente di scarico continua (Id): 201.5A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 40V, Serie: TrenchFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 0.0017Ω, Dissipazione di potenza massima (Pd): 92.5W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 82nC, Temperatura massima di funzionamento: 150°C, Altezza: 1.12mm

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