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Infineon Mosfet, Canale P, 25 Ω, 150 Ma, SOT-323, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale P, 25 Ω, 150 Ma, SOT-323, Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale P, 25 Ω, 150 mA, SOT-323, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Serie: SIPMOS®, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 300 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 1 nC a 10 V, MPN: BSS84PWH6327XTSA1

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