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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 11.3 MΩ Miglioramento, 63 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8, Superficie ISZ113N10NM5LF2ATMA1

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 100 V, 11.3 mΩ Miglioramento, 63 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8, Superficie ISZ113N10NM5LF2ATMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 63A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 11.3mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.2V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 100W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 23nC

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