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Vishay Mosfet, Canale Tipo N 30 V, 0.005 Ω Miglioramento, 60 A, 8 Pin, Powerpak SO-8, Superficie Sira10Bdp-T1-Ge3-image

Vishay Mosfet, Canale Tipo N 30 V, 0.005 Ω Miglioramento, 60 A, 8 Pin, Powerpak SO-8, Superficie Sira10Bdp-T1-Ge3

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MarcaVishay
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Descrizione
Vishay MOSFET, canale Tipo N 30 V, 0.005 Ω Miglioramento, 60 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiRA10BDP-T1-GE3, Massima corrente di scarico continua (Id): 60A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 30V, Serie: TrenchFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 0.005Ω, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 43W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 24.1nC, Temperatura massima di funzionamento: 150°C

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