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Infineon Mosfet, Canale N, 2 MΩ, 270 A, TO-220AB, Su Foro-image

Infineon Mosfet, Canale N, 2 MΩ, 270 A, TO-220AB, Su Foro

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 270 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Serie: HEXFET, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 380 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Carica gate tipica @ Vgs: 91 nC a 4,5 V, MPN: IRLB3036PBF

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