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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 135 V, 8.4 MΩ Miglioramento, 129 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF135S203-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 135 V, 8.4 MΩ Miglioramento, 129 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF135S203

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 135 V, 8.4 mΩ Miglioramento, 129 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF135S203, Massima corrente di scarico continua (Id): 129A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 135V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 8.4mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.3V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 441W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 180nC

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