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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 1200 V, 78.1 MΩ Miglioramento, 21 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Superficie IMBG120R078M2HXTMA1-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 1200 V, 78.1 MΩ Miglioramento, 21 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Superficie IMBG120R078M2HXTMA1

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 1200 V, 78.1 mΩ Miglioramento, 21 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Superficie IMBG120R078M2HXTMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 21A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 1200V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 78.1mΩ, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): ±25 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 158W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 20.6nC, Temperatura massima di funzionamento: 175°C

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