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Infineon Mosfet, Canale P, 175 MΩ, 12 A, TO-220AB, Su Foro-image

Infineon Mosfet, Canale P, 175 MΩ, 12 A, TO-220AB, Su Foro

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale P, 175 mΩ, 12 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 55 V, Serie: HEXFET, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 19 nC a 10 V, MPN: IRF9Z24NPBF

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