Infineon
Infineon Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 4.4 MΩ Miglioramento, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IPB025N10N3GATMA1
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 100 V, 4.4 mΩ Miglioramento, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IPB025N10N3GATMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 180A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Serie: OptiMOS 3, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 4.4mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.2V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 300W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 155nC, MPN: IPB025N10N3 G
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