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Infineon Igbt, Vce 600 V, Ic 75 A, Canale N, TO-247

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 75 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 428 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Classe di efficienza energetica: 6.2mJ, Capacità del gate: 4620pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: IGW75N60H3

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