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Vishay Mosfet, Canale Tipo N 600 V, 102 MΩ Miglioramento, 29 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB105N60EF-GE3-image

Vishay Mosfet, Canale Tipo N 600 V, 102 MΩ Miglioramento, 29 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB105N60EF-GE3

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MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale Tipo N 600 V, 102 mΩ Miglioramento, 29 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB105N60EF-GE3, Massima corrente di scarico continua (Id): 29A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 600V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 102mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.2V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 30 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 208W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 53nC

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