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Stmicroelectronics Mosfet, Canale Tipo N 650 V, 279 MΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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MarcaSTMicroelectronics
CondizioneNuovo
Descrizione
STMicroelectronics MOSFET, canale Tipo N 650 V, 279 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 12A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 650V, Serie: MDmesh M5, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 279mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.5V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 25 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 90W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 31nC, MPN: STD16N65M5

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