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Vishay Mosfet, Canale Tipo P 80 V, 11 Ω Miglioramento, 3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale Tipo P 80 V, 11 Ω Miglioramento, 3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 3A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 80V, Serie: TrenchFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 11Ω, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 2.5W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 6.8nC, Temperatura massima di funzionamento: 150°C, MPN: Si2387DS-T1-GE3

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