Vishay
Vishay 2 Mosfet Di Potenza Tipo Isolato, Canale Tipo P, 58 MΩ, 4 A 20 V, Soic, Superficie Miglioramento, 8 Pin-image

Vishay 2 Mosfet Di Potenza Tipo Isolato, Canale Tipo P, 58 MΩ, 4 A 20 V, Soic, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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MarcaVishay
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Descrizione
Vishay 2 MOSFET di potenza Tipo isolato, canale Tipo P, 58 mΩ, 4 A 20 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin, Massima corrente di scarico continua (Id): 4A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 20V, Serie: TrenchFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 58mΩ, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 12 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 2W, Minima temperatura operativa: 150°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 17nC, MPN: SI9933CDY-T1-GE3

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