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Rohm Mosfet Singoli, Canale Tipo N 60 V, 7.6 MΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-252 (Tl), Superficie-image

Rohm Mosfet Singoli, Canale Tipo N 60 V, 7.6 MΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-252 (Tl), Superficie

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MarcaROHM
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Descrizione
ROHM MOSFET singoli, canale Tipo N 60 V, 7.6 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 80A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 60V, Serie: AG191FLD3HRB, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 7.6mΩ, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 22nC, Dissipazione di potenza massima (Pd): 76W, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): ±20 V, Temperatura massima di funzionamento: 175°C, MPN: AG191FLD3HRBTL

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