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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 55 V, 13.5 MΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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MarcaInfineon
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Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 55 V, 13.5 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-252, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 60A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 55V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 13.5mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.3V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 16 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 110W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 23nC, MPN: IRLR2905ZTRPBF

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