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Vishay Mosfet, Canale Tipo N 80 V, 3.4 MΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR680DP-T1-RE3-image

Vishay Mosfet, Canale Tipo N 80 V, 3.4 MΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR680DP-T1-RE3

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MarcaVishay
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Vishay MOSFET, canale Tipo N 80 V, 3.4 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR680DP-T1-RE3, Massima corrente di scarico continua (Id): 100A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 80V, Serie: TrenchFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 3.4mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.1V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 104W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 69.5nC

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