Infineon
Infineon Mosfet, Canale Tipo P 100 V, 200 MΩ Miglioramento, 14 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo P 100 V, 200 mΩ Miglioramento, 14 A, 3 Pin, TO-263, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 14A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 200mΩ, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 58nC, Dissipazione di potenza massima (Pd): 79W, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione diretta (Vf): -1.6V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, MPN: IRF9530NSTRLPBF
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