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Infineon Mosfet, Canale N, 3 MΩ, 120 A, TO-220, Su Foro

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 3 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 214 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, Altezza: 15.95mm, Lunghezza: 10.36mm, MPN: IPP020N06N

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