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Nexperia Mosfet, Canale P, 120 MΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Nexperia Mosfet, Canale P, 120 MΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaNexperia
CondizioneNuovo
Descrizione
Nexperia MOSFET, canale P, 120 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 400 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Carica gate tipica @ Vgs: 4,5 nC a 10 V, Larghezza: 1.4mm, MPN: NX2301P

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