Infineon
Infineon Mosfet, Canale Tipo N 650 V, 99 MΩ Miglioramento, 37.9 A, 4 Pin, TO-220, Foro Passante
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 650 V, 99 mΩ Miglioramento, 37.9 A, 4 Pin, TO-220, Foro passante, Massima corrente di scarico continua (Id): 37.9A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 650V, Serie: CoolMOS P6, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 99mΩ, Tensione diretta (Vf): 0.9V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 30 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 278W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 70nC, MPN: IPP60R099P6XKSA1
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