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Vishay Mosfet, Canale Canale P -80 V, 0.012 Ω Miglioramento, -175 A, 4 Pin, Powerpak (8X8L), Montaggio Superficiale-image

Vishay Mosfet, Canale Canale P -80 V, 0.012 Ω Miglioramento, -175 A, 4 Pin, Powerpak (8X8L), Montaggio Superficiale

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MarcaVishay
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Descrizione
Vishay MOSFET, canale Canale P -80 V, 0.012 Ω Miglioramento, -175 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Montaggio superficiale, Massima corrente di scarico continua (Id): -175A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): -80V, Serie: TrenchFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 0.012Ω, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): ±20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 348W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 153nC, Temperatura massima di funzionamento: 175°C, MPN: SQJQ181EL-T1_GE3

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