Vishay Siliconix
Vishay Siliconix Mosfet, Canale N, 600 MΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Vishay Siliconix Mosfet, Canale N, 600 MΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaVishay Siliconix
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 600 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Serie: TrenchFET, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.46V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±8 V, Carica gate tipica @ Vgs: 2 nC a 4,5 V, MPN: SQ2364EES-T1_GE3

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