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Infineon 2 Mosfet Tipo Isolato, Canale Tipo P, 170 MΩ, 3.4 A 55 V, Soic, Superficie Miglioramento, 8 Pin-image

Infineon 2 Mosfet Tipo Isolato, Canale Tipo P, 170 MΩ, 3.4 A 55 V, Soic, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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MarcaInfineon
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Infineon 2 MOSFET Tipo isolato, canale Tipo P, 170 mΩ, 3.4 A 55 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin, Massima corrente di scarico continua (Id): 3.4A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 55V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 170mΩ, Tensione diretta (Vf): -1.2V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 2W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 26nC, MPN: IRF7342TRPBF

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